En un avance que podría redefinir el futuro de la computación, científicos chinos de la Universidad de Beijing han desarrollado un transistor bidimensional de bismuto que supera en un 40% la velocidad de los chips de silicio actuales, mientras reduce el consumo energético en un 10%. Este logro, publicado en la prestigiosa revista Nature, representa un salto tecnológico en medio de las restricciones globales que limitan a China el acceso a semiconductores avanzados.
El innovador diseño utiliza una estructura ultrafina de oxicalcogenuros de bismuto que, al igual que el grafeno, aprovecha las propiedades únicas de los materiales 2D. “Es el transistor más rápido y eficiente jamás creado”, afirmó el equipo investigador. La tecnología resuelve problemas fundamentales de los transistores tradicionales, como las fugas de energía y los límites de miniaturización, ofreciendo mayor resistencia y flexibilidad.
Peng Hailin, líder del proyecto, reconoció que las sanciones internacionales impulsaron esta investigación: “Las limitaciones nos obligaron a explorar caminos alternativos, pero terminamos descubriendo una solución potencialmente superior”. Aunque aún en fase experimental, el transistor podría escalarse para aplicaciones prácticas, marcando el inicio de una nueva era en computación libre de silicio.